Транзисторы на основе нитрида галлия (gan-транзистор) | купить цена оптом и в розницу

Транзисторы на основе нитрида галлия (GaN)

В разделе: 26 позиции
  • Производитель
  • Сопротивление
  • Тип корпуса
  • Ток стока, Id
  • Напряжение пробоя сток-исток. Vds
  • Импульсный ток
  • Общий заряд затвора, Qg
  • Заряд обратного восстановления, Qrr
  • Предельная частота работы транзистора
Название
Цена
Количество
Производитель
Сопротивление
Тип корпуса
Ток стока, Id
Напряжение пробоя сток-исток. Vds
Импульсный ток
Общий заряд затвора, Qg
Заряд обратного восстановления, Qrr
Предельная частота работы транзистора
EPC
400 мОм
WLCSP 2.5X1.5
29 А
100 В
125 А
5,7 Кл
0 Кл
EPC
400 мОм
WLCSP 4.6X1.6
32 А
200 В
162 А
13,6 Кл
0 Кл
INNOSCIENCE
7 мОм макс.
WLCSP 2.5X1.5
29 А
100 В
125 А
4,5 нКл
0 Кл
нет в наличии

190 на внешнем складе (срок поставки 10-12 недель)
INNOSCIENCE
106 мОм
DFN 5X6
17 А
650 В
32 А
3,5 нКл
0 Кл
62,4 МГц
нет в наличии

250 на внешнем складе (срок поставки 10-12 недель)
INNOSCIENCE
2,2 мОм
FCQFN 3X5
80 А
100 В
320 А
14 нКл
0 Кл
нет в наличии

210 на внешнем складе (срок поставки 10-12 недель)
INNOSCIENCE
1,2 мОм
FCQFN 5X4
60 А
30 В
300 А
22,8 нКл
0 Кл
EPC
400 мОм
WLCSP 3.5X1.95
60 А
100 В
231 А
10,5 Кл
0 Кл
TOKMAS
55 мОм
DFN8*8
39 А
650 В
78 А
78 нКл
CRMICRO
80 мОм
TO-220
30 А
650 В
125 А
21 нКл
26 нКл
8,9 МГц
Количество на странице:

1 2 3