Транзистор на основе нитрида галлия (GaN) STAV58100G2 | купить цена оптом и в розницу
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор на основе нитрида галлия (GaN) STAV58100G2
Документация

Транзистор на основе нитрида галлия (GaN) STAV58100G2

Код товара: STAV58100G2
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

STAV58100G2 - это односторонний 100-ваттный GaN HEMT, идеально подходящий для приложений 5G NR в диапазоне 4,8-5 ГГц и LTE-U в диапазоне 5,3-5,9 ГГц. Это транзистор с внутренним согласованием, способный поддерживать CW, импульсный или любой другой модулированный сигнал. При использовании данной детали вне указанных частот гарантии работоспособности нет.
Применения:
- Импульсный или КВ-усилитель диапазона C SUB-6 ГГц;
- Усилитель класса AB для 5G или LTE-U;
- Широкополосная глушилка.

Характеристики товара

Производитель Innogration
Тип корпуса G2
Рабочая частота 4,4-6 ГГц
Рабочее напряжение, Vdd 50 В
Мощность 100 Вт
Максимальный ток затвора, Igs 16 мА
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ