IGBT модуль 1200 В | DFH50CU12F0H1 купить цена оптом и в розницу

IGBT+SiC Diode модуль DFH50CU12F0H1 1200В 75А

Код товара: DFH50CU12F0H1
296 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)

1+

5+

20+
5 688.89 руб. 5 239.76 руб. 4 790.64 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой гибридный IGBT+SiC Diode модуль с кодом заказа DFH50CU12F0H1. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 75А. Рассеиваемая мощность 271 Вт. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель LEAPERS
Тип дискретного компонента IGBT+SiC Diode модуль
Рассеиваемая мощность, Pd 271 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 100⁰С 75 А