IGBT модуль 1700 В 1562 А| GD1200HFX170C3S купить цена оптом и в розницу

IGBT модуль GD1200HFX170C3S 1700В 1200А

Код товара: GD1200HFX170C3S
36 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)

1+

5+

20+
71 687 руб. 66 027.50 руб. 60 368 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD1200HFX170C3S. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1700В. Ток коллектора составляет 1200А. Рассеиваемая мощность 5190 Вт. Силовой IGBT модуль GD1200HFX170C3S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля 2MBI1200VT-170E производства Fuji Electric. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель STARPOWER
Тип дискретного компонента IGBT модуль
Рассеиваемая мощность, Pd 5190 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1700 В
Ток коллектора при 25⁰С 1562 А
Ток коллектора при 70⁰С 1200 А