Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD1200HFX170C3S. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1700В. Ток коллектора составляет 1200А. Рассеиваемая мощность 5190 Вт. Силовой IGBT модуль GD1200HFX170C3S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля 2MBI1200VT-170E производства Fuji Electric. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
Производитель | STARPOWER |
Тип дискретного компонента | IGBT модуль |
Рассеиваемая мощность, Pd | 5190 Вт |
Напряжение коллектор-эмитер | 1700 В |
Ток коллектора при 25⁰С | 1562 А |
Ток коллектора при 70⁰С | 1200 А |