IGBT модуль 1200 В 232 А| GD150FFX170C6S купить цена оптом и в розницу

IGBT модуль GD150FFX170C6S 1700В 150А

Код товара: GD150FFX170C6S
35 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD150FFX170C6S. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 150А. Рассеиваемая мощность 829 Вт. Силовой IGBT модуль GD150FFX170C6S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля FS150R17N3E4 производства Infineon. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель STARPOWER
Тип дискретного компонента IGBT модуль
Рассеиваемая мощность, Pd 829 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 25⁰С 232 А
Ток коллектора при 100⁰С 150 А