IGBT модуль 650 В 180 А| GD150HFX65C1S купить цена оптом и в розницу

IGBT модуль GD150HFX65C1S 650В 150А

Код товара: GD150HFX65C1S
22 На складе

1+

5+

10+
1 570 руб. 1 560 руб. 1 550 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD150HFX65C1S. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 650В. Ток коллектора составляет 150А. Рассеиваемая мощность 437 Вт. Силовой IGBT модуль GD150HFX65C1S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля SKM145GB066D производства Semikron. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Наличие На складе
Производитель STARPOWER
Тип дискретного компонента IGBT модуль
Рассеиваемая мощность, Pd 437 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 25⁰С 180 А
Ток коллектора при 55⁰С 150 А
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.