Igbt модуль 650 В 180 А| gd150hfx65c1s купить оптом

IGBT модуль GD150HFX65C1S 650В 150А

Код товара: GD150HFX65C1S
67 На складе
77 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)

1+

5+

20+
3 952 руб. 3 900 руб. 3 848 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD150HFX65C1S. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 650В. Ток коллектора составляет 150А. Рассеиваемая мощность 437 Вт. Силовой IGBT модуль GD150HFX65C1S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля SKM145GB066D производства Semikron. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель STARPOWER
Тип дискретного компонента IGBT модуль
Рассеиваемая мощность, Pd 437 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 25⁰С 180 А
Ток коллектора при 55⁰С 150 А