Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD150HFY120C1S. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 150А. Рассеиваемая мощность 1102 Вт. Силовой IGBT модуль GD150HFY120C1S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля SKM150GB12T4 производства Semikron. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
| Наличие | Нет в наличии |
| Производитель | STARPOWER |
| Тип дискретного компонента | IGBT модуль |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 1102 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 1200 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 291 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 150 А |
