Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD200HFX170C2S. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1700В. Ток коллектора составляет 200А. Рассеиваемая мощность 1271 Вт. Силовой IGBT модуль GD200HFX170C2S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля FF200R17KE4 производства Infineon. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
Производитель | STARPOWER |
Тип дискретного компонента | IGBT модуль |
Рассеиваемая мощность, Pd | 1271 Вт |
Напряжение коллектор-эмитер | 1700 В |
Ток коллектора при 25⁰С | 337 А |
Ток коллектора при 100⁰С | 200 А |