Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD200HFX65C1S. Напряжение коллектор-эмитер составляет 650В. Ток коллектора составляет 200А. Рассеиваемая мощность 612 Вт. Силовой IGBT модуль GD200HFX65C1S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля SKM195GB066D производства Semikron. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
Производитель | STARPOWER |
Тип дискретного компонента | IGBT модуль |
Рассеиваемая мощность, Pd | 612 Вт |
Напряжение коллектор-эмитер | 650 В |
Ток коллектора при 25⁰С | 250 А |
Ток коллектора при 65⁰С | 200 А |