IGBT модуль 650 В 250 А| GD200HFX65C1S купить цена оптом и в розницу

IGBT модуль GD200HFX65C1S 650В 200А

Код товара: GD200HFX65C1S
12 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD200HFX65C1S. Напряжение коллектор-эмитер составляет 650В. Ток коллектора составляет 200А. Рассеиваемая мощность 612 Вт. Силовой IGBT модуль GD200HFX65C1S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля SKM195GB066D производства Semikron. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель STARPOWER
Тип дискретного компонента IGBT модуль
Рассеиваемая мощность, Pd 612 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 25⁰С 250 А
Ток коллектора при 65⁰С 200 А