IGBT модуль 1700 В 1073 А| GD650HFX170P1S купить цена оптом и в розницу

IGBT модуль GD650HFX170P1S 1700В 650А

Код товара: GD650HFX170P1S
56 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)

1+

5+

20+
30 723 руб. 28 297.50 руб. 25 872 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD650HFX170P1S. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1700В. Ток коллектора составляет 650А. Рассеиваемая мощность 4200 Вт. Силовой IGBT модуль GD650HFX170P1S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля 2MBI650VXA-170E-54 производства Fuji Electric. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель STARPOWER
Тип дискретного компонента IGBT модуль
Рассеиваемая мощность, Pd 4200 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1700 В
Ток коллектора при 25⁰С 1073 А
Ток коллектора при 100⁰С 650 А