1+ |
5+ |
20+ |
---|---|---|
30 723 руб. | 28 297.50 руб. | 25 872 руб. |
Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD650HFX170P1S. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1700В. Ток коллектора составляет 650А. Рассеиваемая мощность 4200 Вт. Силовой IGBT модуль GD650HFX170P1S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля 2MBI650VXA-170E-54 производства Fuji Electric. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
Производитель | STARPOWER |
Тип дискретного компонента | IGBT модуль |
Рассеиваемая мощность, Pd | 4200 Вт |
Напряжение коллектор-эмитер | 1700 В |
Ток коллектора при 25⁰С | 1073 А |
Ток коллектора при 100⁰С | 650 А |