Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD75FFX170C6S. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 75А. Рассеиваемая мощность 559 Вт. Силовой IGBT модуль GD75FFX170C6S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля FS75R17KE3 производства Infineon. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
Производитель | STARPOWER |
Тип дискретного компонента | IGBT модуль |
Рассеиваемая мощность, Pd | 559 Вт |
Напряжение коллектор-эмитер | 1700 В |
Ток коллектора при 25⁰С | 139 А |
Ток коллектора при 100⁰С | 75 А |