IGBT модуль 1200 В 150 А| GD75FSY120L3S купить цена оптом и в розницу

IGBT модуль GD75FSY120L3S 1200В 75А

Код товара: GD75FSY120L3S
85 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD75FSY120L3S. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 150А. Рассеиваемая мощность 576 Вт. Силовой IGBT модуль GD75FSY120L3S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля FS75R12W2T4 производства Infineon. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель STARPOWER
Тип дискретного компонента IGBT модуль
Рассеиваемая мощность, Pd 576 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 25⁰С 150 А
Ток коллектора при 100⁰С 75 А