IGBT модуль 1200 В | MG35P12P3 купить цена оптом и в розницу

IGBT модуль MG35P12P3 1200В 35А

Код товара: MG35P12P3
41 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой IGBT модуль с кодом заказа MG35P12P3. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 35А. Рассеиваемая мощность 215 Вт. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель YANGJIE
Тип дискретного компонента IGBT модуль
Рассеиваемая мощность, Pd 215 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 100⁰С 35 А