Транзистор на основе нитрида галлия (GaN) GTAH25100A2C | купить цена оптом и в розницу
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор на основе нитрида галлия (GaN) GTAH25100A2C
Документация

Транзистор на основе нитрида галлия (GaN) GTAH25100A2C

Код товара: GTAH25100A2C
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

GTAH25100A2C - это 100-ваттный GaN HEMT, разработанный для применения в ISM/RF энергетике на частоте 2,45 ГГц. Он может использоваться в режимах CW, Pulse и любой другой модуляции.
Области применения:
- Усилитель мощности S-диапазона;
- Усилитель мощности ISM/RF энергетики.

Характеристики товара

Производитель Innogration
Тип корпуса A2C
Рабочая частота 2450 МГц
Рабочее напряжение, Vdd 28 В
Мощность 100 Вт
Максимальный ток затвора, Igs 30 мА
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ