SiC MOSFET модуль DFS02FB12HDB1 1200В 800А | купить цена оптом и в розницу

SiC MOSFET модуль DFS02FB12HDB1 1200В 800А

Код товара: DFS02FB12HDB1
87 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой SiC MOSFET модуль с кодом заказа DFS02FB12HDB1. Напряжение сток-исток составляет 1200В. Ток стока составляет 685А. Рассеиваемая мощность составляет 1923 Вт. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель LEAPERS
Тип дискретного компонента SiC MOSFET модуль
Ток стока, Id 685 А
Рассеиваемая мощность, Pd 1923 Вт
Напряжение сток-исток, VDSS 1200 В
Конструкция 3-Phase