SiC MOSFET модуль DFS04FB12HDB1 1200В 400А | купить цена оптом и в розницу

SiC MOSFET модуль DFS04FB12HDB1 1200В 400А

Код товара: DFS04FB12HDB1
297 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой SiC MOSFET модуль с кодом заказа DFS04FB12HDB1. Напряжение сток-исток составляет 1200В. Ток стока составляет 345А. Рассеиваемая мощность составляет 961 Вт. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель LEAPERS
Тип дискретного компонента SiC MOSFET модуль
Ток стока, Id 345 А
Рассеиваемая мощность, Pd 961 Вт
Напряжение сток-исток, VDSS 1200 В
Конструкция 3-Phase