SiC MOSFET модуль DFS04HF12EZC1 1200В 4,7 мОм 200А | купить цена оптом и в розницу

SiC MOSFET модуль DFS04HF12EZC1 1200В 4,7 мОм 200А

Код товара: DFS04HF12EZC1
160 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой SiC MOSFET модуль с кодом заказа DFS04HF12EZC1. Напряжение сток-исток составляет 1200В. Ток стока составляет 200А. Сопротивление сток-исток при 25⁰ С составляет 4,7 мОм . Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель LEAPERS
Тип дискретного компонента SiC MOSFET модуль
Ток стока, Id 200 А
Напряжение сток-исток, VDSS 1200 В
Конструкция Half Bridge