SiC MOSFET модуль DFS40HH12EYQ1 1200В 40 мОм 50А | купить цена оптом и в розницу

SiC MOSFET модуль DFS40HH12EYQ1 1200В 40 мОм 50А

Код товара: DFS40HH12EYQ1
54 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Силовой SiC MOSFET модуль с кодом заказа DFS40HH12EYQ1. Напряжение сток-исток составляет 1200В. Ток стока составляет 50А. Сопротивление сток-исток при 25⁰ С составляет 40 мОм . Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель LEAPERS
Тип дискретного компонента SiC MOSFET модуль
Ток стока, Id 50 А
Напряжение сток-исток, VDSS 1200 В
Конструкция H Bridge