Транзистор IGBT DG75Q12T2, 1200 В, 937 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT DG75Q12T2, 1200 В, 937 Вт

Код товара: DG75Q12T2
51 Срок поставки 9 дней

1+

11+

60+
387.24 руб. 348.27 руб. 325.59 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор DG75Q12T2 производства STARPOWER. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 150 А; при +100 °C: 75 А. Импульсный ток коллектора: 225 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 2.35 В. Рассеиваемая мощность: 937 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель STARPOWER
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 937 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 25⁰С 150 А
Ток коллектора при 100⁰С 75 А
Импульсный ток 225 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 2,35 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.