Транзистор IGBT DG75X07T2L, 650 В, 428 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT DG75X07T2L, 650 В, 428 Вт

Код товара: DG75X07T2L
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор DG75X07T2L производства STARPOWER. Напряжение коллектор–эмиттер: 650 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 90 А; при +100 °C: 75 А. Импульсный ток коллектора: 300 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.95 В. Рассеиваемая мощность: 428 Вт.

Характеристики товара

Наличие Нет в наличии
Производитель STARPOWER
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 428 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 25⁰С 90 А
Ток коллектора при 100⁰С 75 А
Импульсный ток 300 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,95 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.