Транзистор IGBT транзистор DG75X07T2L производства STARPOWER. Напряжение коллектор–эмиттер: 650 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 90 А; при +100 °C: 75 А. Импульсный ток коллектора: 300 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.95 В. Рассеиваемая мощность: 428 Вт.
| Наличие | Нет в наличии |
| Производитель | STARPOWER |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 428 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 650 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 90 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 75 А |
| Импульсный ток | 300 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 1,95 В |
.png)