IGBT транзистор DGP10N65CTL 650В 10А | купить силовой транзистор

IGBT транзистор DGP10N65CTL 650В 10А

Код товара: DGP10N65CTL
152 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

IGBT транзистор с кодом заказа DGP10N65CTL в корпусе TO-220. Напряжение коллектор-эмитер составляет 650В. Ток коллектора составляет 10А. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель YANGJIE
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Тип корпуса TO-220
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 100⁰С 10 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,65 В