IGBT транзистор DGQ160N65CTL1D 650В 160А | купить силовой транзистор

IGBT транзистор DGQ160N65CTL1D 650В 160А

Код товара: DGQ160N65CTL1D
183 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

IGBT транзистор с кодом заказа DGQ160N65CTL1D в корпусе TO 247 plus. Напряжение коллектор-эмитер составляет 650В. Ток коллектора составляет 160А. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель YANGJIE
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Тип корпуса TO 247 plus
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 100⁰С 160 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,7 В