IGBT транзистор DGQ75N120CTL0D 1200В 75А | купить силовой транзистор

IGBT транзистор DGQ75N120CTL0D 1200В 75А

Код товара: DGQ75N120CTL0D
386 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

IGBT транзистор с кодом заказа DGQ75N120CTL0D в корпусе TO 247 plus. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 75А. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель YANGJIE
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Тип корпуса TO 247 plus
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 100⁰С 75 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,85 В