IGBT транзистор DGR40N120ATL0AQ 1200В 40А | купить силовой транзистор

IGBT транзистор DGR40N120ATL0AQ 1200В 40А

Код товара: DGR40N120ATL0AQ
360 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

IGBT транзистор с кодом заказа DGR40N120ATL0AQ в корпусе STO 263. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 40А. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель YANGJIE
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Тип корпуса STO 263
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 100⁰С 40 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,85 В