IGBT транзистор DGR80N120ATL1BQ 1200В 80А | купить силовой транзистор

IGBT транзистор DGR80N120ATL1BQ 1200В 80А

Код товара: DGR80N120ATL1BQ
354 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

IGBT транзистор с кодом заказа DGR80N120ATL1BQ в корпусе STO 263. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 80А. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель YANGJIE
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Тип корпуса STO 263
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 100⁰С 80 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,75 В