IGBT транзистор DGW100N65CTS1D 650В 100А | купить силовой транзистор

IGBT транзистор DGW100N65CTS1D 650В 100А

Код товара: DGW100N65CTS1D
368 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

IGBT транзистор с кодом заказа DGW100N65CTS1D в корпусе TO-247. Напряжение коллектор-эмитер составляет 650В. Ток коллектора составляет 100А. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель YANGJIE
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Тип корпуса TO-247
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 100⁰С 100 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,35 В