Транзистор IGBT IGP40N65H5XKSA1, 640 В, 250 Вт | купить силовой транзистор
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор IGBT IGP40N65H5XKSA1, 640 В, 250 Вт
Документация

Транзистор IGBT IGP40N65H5XKSA1, 640 В, 250 Вт

Код товара: IGP40N65H5XKSA1
61 Срок поставки 9 дней

1+
7+
25+
430.21 руб. 418.89 руб. 398.99 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IGP40N65H5XKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 640 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 74 А; при +100 °C: 46 А. Импульсный ток коллектора: 120 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.65 В. Рассеиваемая мощность: 250 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 250 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 640 В
Ток коллектора при 25⁰С 74 А
Ток коллектора при 100⁰С 46 А
Импульсный ток 120 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,65 В
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.