Транзистор IGBT IGW20N60H3FKSA1, 600 В, 170 Вт | купить силовой транзистор
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор IGBT IGW20N60H3FKSA1, 600 В, 170 Вт
Документация

Транзистор IGBT IGW20N60H3FKSA1, 600 В, 170 Вт

Код товара: IGW20N60H3FKSA1
168 Срок поставки 9 дней

1+
5+
20+
280.89 руб. 271.41 руб. 250.71 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IGW20N60H3FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 600 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 40 А; при +100 °C: 20 А. Импульсный ток коллектора: 80 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.95 В. Рассеиваемая мощность: 170 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 170 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 600 В
Ток коллектора при 25⁰С 40 А
Ток коллектора при 100⁰С 20 А
Импульсный ток 80 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,95 В
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.