1+ |
4+ |
16+ |
|---|---|---|
| 673.12 руб. | 656.81 руб. | 628.46 руб. |
Транзистор IGBT транзистор IGW60T120FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 100 А; при +100 °C: 60 А. Импульсный ток коллектора: 150 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.7 В. Рассеиваемая мощность: 375 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 375 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 1200 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 100 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 60 А |
| Импульсный ток | 150 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 1,7 В |
.png)