Транзистор IGBT IGW60T120FKSA1, 1200 В, 375 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT IGW60T120FKSA1, 1200 В, 375 Вт

Код товара: IGW60T120FKSA1
85 Срок поставки 9 дней

1+

4+

16+
673.12 руб. 656.81 руб. 628.46 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IGW60T120FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 100 А; при +100 °C: 60 А. Импульсный ток коллектора: 150 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.7 В. Рассеиваемая мощность: 375 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 375 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 25⁰С 100 А
Ток коллектора при 100⁰С 60 А
Импульсный ток 150 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,7 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.