1+ |
17+ |
90+ |
|---|---|---|
| 248.13 руб. | 221.16 руб. | 205.45 руб. |
Транзистор IGBT транзистор IHW20N120R3FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1500 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 40 А; при +100 °C: 20 А. Импульсный ток коллектора: 60 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.48 В. Рассеиваемая мощность: 310 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 310 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 1500 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 40 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 20 А |
| Импульсный ток | 60 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 1,48 В |
.png)