Транзистор IGBT IHW20N120R3FKSA1, 1500 В, 310 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT IHW20N120R3FKSA1, 1500 В, 310 Вт

Код товара: IHW20N120R3FKSA1
205 Срок поставки 9 дней

1+

17+

90+
248.13 руб. 221.16 руб. 205.45 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IHW20N120R3FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1500 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 40 А; при +100 °C: 20 А. Импульсный ток коллектора: 60 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.48 В. Рассеиваемая мощность: 310 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 310 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1500 В
Ток коллектора при 25⁰С 40 А
Ток коллектора при 100⁰С 20 А
Импульсный ток 60 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,48 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.