1+ |
9+ |
30+ |
|---|---|---|
| 488.91 руб. | 440.85 руб. | 412.89 руб. |
Транзистор IGBT транзистор IHW30N120R5XKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 60 А; при +100 °C: 30 А. Импульсный ток коллектора: 90 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.55 В. Рассеиваемая мощность: 330 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 330 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 1200 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 60 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 30 А |
| Импульсный ток | 90 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 1,55 В |
.png)