Транзистор IGBT IHW30N120R5XKSA1, 1200 В, 330 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT IHW30N120R5XKSA1, 1200 В, 330 Вт

Код товара: IHW30N120R5XKSA1
62 Срок поставки 9 дней

1+

9+

30+
488.91 руб. 440.85 руб. 412.89 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IHW30N120R5XKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 60 А; при +100 °C: 30 А. Импульсный ток коллектора: 90 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.55 В. Рассеиваемая мощность: 330 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 330 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 25⁰С 60 А
Ток коллектора при 100⁰С 30 А
Импульсный ток 90 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,55 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.