Транзистор IGBT IHW30N160R2FKSA1, 1600 В, 312 Вт | купить силовой транзистор
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор IGBT IHW30N160R2FKSA1, 1600 В, 312 Вт
Документация

Транзистор IGBT IHW30N160R2FKSA1, 1600 В, 312 Вт

Код товара: IHW30N160R2FKSA1
31 Срок поставки 9 дней

1+
3+
12+
1 629.33 руб. 1 492.80 руб. 1 413.46 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IHW30N160R2FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1600 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 60 А; при +100 °C: 30 А. Импульсный ток коллектора: 90 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.8 В. Рассеиваемая мощность: 312 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 312 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1600 В
Ток коллектора при 25⁰С 60 А
Ток коллектора при 100⁰С 30 А
Импульсный ток 90 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,8 В
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.