Транзистор IGBT IKQ50N120CH3XKSA1, 1200 В, 652 Вт | купить силовой транзистор
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор IGBT IKQ50N120CH3XKSA1, 1200 В, 652 Вт
Документация

Транзистор IGBT IKQ50N120CH3XKSA1, 1200 В, 652 Вт

Код товара: IKQ50N120CH3XKSA1
103 Срок поставки 9 дней

1+
9+
30+
535.18 руб. 483.19 руб. 452.94 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IKQ50N120CH3XKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 100 А; при +100 °C: 50 А. Импульсный ток коллектора: 200 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 2 В. Рассеиваемая мощность: 652 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 652 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 25⁰С 100 А
Ток коллектора при 100⁰С 50 А
Импульсный ток 200 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 2 В
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.