Транзистор IGBT IKW15N120H3FKSA1, 1200 В, 30 А, 217 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT IKW15N120H3FKSA1, 1200 В, 30 А, 217 Вт

Код товара: IKW15N120H3FKSA1
339 Срок поставки 9 дней

1+

30+

120+
321.35 руб. 291.42 руб. 271.91 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IKW15N120H3FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 30 А; при +100 °C: 15 А. Импульсный ток коллектора: 60 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 2.05 В. Рассеиваемая мощность: 217 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 217 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 25⁰С 30 А
Ток коллектора при 100⁰С 15 А
Импульсный ток 60 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 2,05 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.