1+ |
30+ |
120+ |
|---|---|---|
| 321.35 руб. | 291.42 руб. | 271.91 руб. |
Транзистор IGBT транзистор IKW15N120H3FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 30 А; при +100 °C: 15 А. Импульсный ток коллектора: 60 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 2.05 В. Рассеиваемая мощность: 217 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 217 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 1200 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 30 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 15 А |
| Импульсный ток | 60 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 2,05 В |
.png)