Транзистор IGBT IKW25N120H3FKSA1, 1200 В, 50 А, 326 Вт | купить силовой транзистор
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор IGBT IKW25N120H3FKSA1, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Документация

Транзистор IGBT IKW25N120H3FKSA1, 1200 В, 50 А, 326 Вт

Код товара: IKW25N120H3FKSA1
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IKW25N120H3FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 50 А; при +100 °C: 25 А. Импульсный ток коллектора: 100 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 2.05 В. Рассеиваемая мощность: 326 Вт.

Характеристики товара

Наличие Нет в наличии
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 326 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 25⁰С 50 А
Ток коллектора при 100⁰С 25 А
Импульсный ток 100 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 2,05 В
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.