1+ |
30+ |
120+ |
|---|---|---|
| 272.11 руб. | 246.24 руб. | 229.37 руб. |
Транзистор IGBT транзистор IKW25N120T2FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 50 А; при +100 °C: 25 А. Импульсный ток коллектора: 100 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.7 В. Рассеиваемая мощность: 349 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 349 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 1200 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 50 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 25 А |
| Импульсный ток | 100 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 1,7 В |
.png)