Транзистор IGBT IKW25T120FKSA1, 1200 В, 50 А, 190 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT IKW25T120FKSA1, 1200 В, 50 А, 190 Вт

Код товара: IKW25T120FKSA1
33 Срок поставки 9 дней

1+

4+

14+
1 258.22 руб. 1 150.29 руб. 1 087.56 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IKW25T120FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 50 А; при +100 °C: 25 А. Импульсный ток коллектора: 75 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.7 В. Рассеиваемая мощность: 190 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 190 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 25⁰С 50 А
Ток коллектора при 100⁰С 25 А
Импульсный ток 75 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,7 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.