Транзистор IGBT IKW30N65H5XKSA1, 650 В, 55 А, 188 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT IKW30N65H5XKSA1, 650 В, 55 А, 188 Вт

Код товара: IKW30N65H5XKSA1
41 Срок поставки 9 дней

1+

8+

30+
262.27 руб. 244.92 руб. 234.43 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IKW30N65H5XKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 650 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 55 А; при +100 °C: 35 А. Импульсный ток коллектора: 90 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.65 В. Рассеиваемая мощность: 188 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 188 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 25⁰С 55 А
Ток коллектора при 100⁰С 35 А
Импульсный ток 90 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,65 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.