1+ |
23+ |
90+ |
|---|---|---|
| 327.71 руб. | 297.86 руб. | 278.40 руб. |
Транзистор IGBT транзистор IKW40N120T2FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 75 А; при +100 °C: 40 А. Импульсный ток коллектора: 160 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.75 В. Рассеиваемая мощность: 480 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 480 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 1200 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 75 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 40 А |
| Импульсный ток | 160 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 1,75 В |
.png)