1+ |
30+ |
150+ |
|---|---|---|
| 203.11 руб. | 183.11 руб. | 170.07 руб. |
Транзистор IGBT транзистор IKW40N60H3FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 600 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 80 А; при +100 °C: 40 А. Импульсный ток коллектора: 160 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.95 В. Рассеиваемая мощность: 306 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 306 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 600 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 80 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 40 А |
| Импульсный ток | 160 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 1,95 В |
.png)