Транзистор IGBT IKW40N60H3FKSA1, 600 В, 80 А, 306 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT IKW40N60H3FKSA1, 600 В, 80 А, 306 Вт

Код товара: IKW40N60H3FKSA1
305 Срок поставки 9 дней

1+

30+

150+
203.11 руб. 183.11 руб. 170.07 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IKW40N60H3FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 600 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 80 А; при +100 °C: 40 А. Импульсный ток коллектора: 160 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.95 В. Рассеиваемая мощность: 306 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 306 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 600 В
Ток коллектора при 25⁰С 80 А
Ток коллектора при 100⁰С 40 А
Импульсный ток 160 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,95 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.