1+ |
30+ |
120+ |
|---|---|---|
| 164.19 руб. | 144.94 руб. | 133.71 руб. |
Транзистор IGBT транзистор IKW40N65ES5XKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 650 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 79 А; при +100 °C: 50 А. Импульсный ток коллектора: 160 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.35 В. Рассеиваемая мощность: 230 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 230 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 650 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 79 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 50 А |
| Импульсный ток | 160 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 1,35 В |
.png)