Транзистор IGBT IKW50N60H3FKSA1, 600 В, 100 А, 333 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT IKW50N60H3FKSA1, 600 В, 100 А, 333 Вт

Код товара: IKW50N60H3FKSA1
146 Срок поставки 9 дней

1+

15+

60+
289.63 руб. 258.98 руб. 241.13 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IKW50N60H3FKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 600 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 100 А; при +100 °C: 50 А. Импульсный ток коллектора: 200 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.85 В. Рассеиваемая мощность: 333 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 333 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 600 В
Ток коллектора при 25⁰С 100 А
Ток коллектора при 100⁰С 50 А
Импульсный ток 200 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,85 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.