1+ |
30+ |
120+ |
|---|---|---|
| 305.79 руб. | 277.59 руб. | 259.21 руб. |
Транзистор IGBT транзистор IKW50N60TFKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 600 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 80 А; при +100 °C: 50 А. Импульсный ток коллектора: 150 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.5 В. Рассеиваемая мощность: 333 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 333 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 600 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 80 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 50 А |
| Импульсный ток | 150 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 1,5 В |
.png)