Транзистор IGBT IKW50N65ES5, 650 В, 80 А, 274 Вт | купить силовой транзистор
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор IGBT IKW50N65ES5, 650 В, 80 А, 274 Вт
Документация

Транзистор IGBT IKW50N65ES5, 650 В, 80 А, 274 Вт

Код товара: IKW50N65ES5
78 Срок поставки 9 дней

1+
15+
60+
267.07 руб. 238.65 руб. 222.10 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IKW50N65ES5 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 650 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 80 А; при +100 °C: 60.5 А. Импульсный ток коллектора: 200 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.35 В. Рассеиваемая мощность: 274 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 274 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 25⁰С 80 А
Ток коллектора при 100⁰С 60.5 А
Импульсный ток 200 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,35 В
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.