1+ |
30+ |
150+ |
|---|---|---|
| 215.27 руб. | 194.39 руб. | 180.79 руб. |
Транзистор IGBT транзистор IKW75N65EH5XKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 650 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 90 А; при +100 °C: 75 А. Импульсный ток коллектора: 300 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.65 В. Рассеиваемая мощность: 395 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 395 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 650 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 90 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 75 А |
| Импульсный ток | 300 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 1,65 В |
.png)