Транзистор IGBT IKW75N65EH5XKSA1, 650 В, 90 А, 395 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT IKW75N65EH5XKSA1, 650 В, 90 А, 395 Вт

Код товара: IKW75N65EH5XKSA1
301 Срок поставки 9 дней

1+

30+

150+
215.27 руб. 194.39 руб. 180.79 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IKW75N65EH5XKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 650 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 90 А; при +100 °C: 75 А. Импульсный ток коллектора: 300 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.65 В. Рассеиваемая мощность: 395 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 395 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 25⁰С 90 А
Ток коллектора при 100⁰С 75 А
Импульсный ток 300 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,65 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.