Транзистор IGBT IKY75N120CH3XKSA1, 1200 В, 938 Вт | купить силовой транзистор
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор IGBT IKY75N120CH3XKSA1, 1200 В, 938 Вт
Документация

Транзистор IGBT IKY75N120CH3XKSA1, 1200 В, 938 Вт

Код товара: IKY75N120CH3XKSA1
69 Срок поставки 9 дней

1+
4+
13+
1 396.38 руб. 1 277.23 руб. 1 207.98 руб.
Цена указана за единицу товара без НДС 22%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IKY75N120CH3XKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 150 А; при +100 °C: 75 А. Импульсный ток коллектора: 300 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 2 В. Рассеиваемая мощность: 938 Вт.

Характеристики товара

Наличие Со сроком поставки
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 938 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 25⁰С 150 А
Ток коллектора при 100⁰С 75 А
Импульсный ток 300 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 2 В
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.