1+ |
4+ |
15+ |
|---|---|---|
| 1 350.72 руб. | 1 235 руб. | 1 167.75 руб. |
Транзистор IGBT транзистор IKZA75N65SS5XKSA1 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 650 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 80 А; при +100 °C: 80 А. Импульсный ток коллектора: 300 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 1.7 В. Рассеиваемая мощность: 395 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 395 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 650 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 80 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 80 А |
| Импульсный ток | 300 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 1,7 В |
.png)