Транзистор IGBT транзистор IRGB20B60PD1PBF производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 600 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 40 А; при +100 °C: 22 А. Импульсный ток коллектора: 80 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 2.35 В. Рассеиваемая мощность: 215 Вт.
| Наличие | Нет в наличии |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 215 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 600 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 40 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 22 А |
| Импульсный ток | 80 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 2,35 В |
.png)