Транзистор IGBT IRGB20B60PD1PBF, 600 В, 215 Вт | купить силовой транзистор

Транзистор IGBT IRGB20B60PD1PBF, 600 В, 215 Вт

Код товара: IRGB20B60PD1PBF
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор IRGB20B60PD1PBF производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 600 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 40 А; при +100 °C: 22 А. Импульсный ток коллектора: 80 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 2.35 В. Рассеиваемая мощность: 215 Вт.

Характеристики товара

Наличие Нет в наличии
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 215 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 600 В
Ток коллектора при 25⁰С 40 А
Ток коллектора при 100⁰С 22 А
Импульсный ток 80 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 2,35 В
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.