IGBT транзистор SGT20N60FD1PN 600 В 20 А | купить силовой транзистор

IGBT транзистор SGT20N60FD1PN 600 В 20 А

Код товара: SGT20N60FD1PN
41 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

IGBT транзистор с кодом заказа SGT20N60FD1PN в корпусе TO-3P. Напряжение коллектор-эмитер составляет 600 В. Ток коллектора составляет 20 А. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель SILAN
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Тип корпуса TO-3P
Напряжение коллектор-эмитер 600 В
Ток коллектора при 100⁰С 20 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 2 В