IGBT транзистор SGTP40V65FDR1P7 650 В 40 А | купить силовой транзистор

IGBT транзистор SGTP40V65FDR1P7 650 В 40 А

Код товара: SGTP40V65FDR1P7
81 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

IGBT транзистор с кодом заказа SGTP40V65FDR1P7 в корпусе TO-247-3L. Напряжение коллектор-эмитер составляет 650 В. Ток коллектора составляет 40 А. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель SILAN
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Тип корпуса TO-247-3L
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 100⁰С 40 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,65 В